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“功率半導體器件”領域專利分析普及推廣項目

為提高企業專利信息運用能力,提升全社會專利信息運用意識,助力國家產業發展,國家知識產權局自2010年啟動了專利分析普及推廣項目。專利分析普及推廣項目的工作原則是“源于產業、依靠產業、推動產業”。在“十二五”期間,國家知識產權局將從戰略性新興產業、高技術產業和傳統產業中選擇50個熱點產業進行研究。目前,已完成16個產業的專利分析,并以《產業專利分析報告(1-6冊)》形式公開出版。
 
  2012年國家知識產權局繼續開展專利分析普及推廣項目工作,并已確定10個研究課題。其中“功率半導體器件”領域作為最終確定的項目之一,已經啟動并正在進行研究,目前已經完成關鍵技術“IGBT(絕緣柵雙級型晶體管)”領域的初步分析。

  為了使得課題組最終形成的分析報告更具有實際指導意義和針對性,非常歡迎本領域的相關企業以及關注該領域的產業專家、技術專家參與到課題組的研究工作中!


        該項目的主要研究內容包括:
  1、功率半導體器件領域的全球專利分析和中國專利分析(包括申請量分析、區域分布、申請人、發明人、技術分布等);
  2、深入分析關鍵技術“IGBT(絕緣柵雙級型晶體管)”領域的專利分布;
  3、深入分析“SiC(碳化硅)材料功率半導體器件”領域的專利分布;
  4、主要申請人的深入分析(初步選定三菱、英飛凌、ABB);
  5、重要專利篩選和分析;
  6、技術演進、技術功效分析等。
 
 

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