解決方案

新潔能SiC MOSFET系列產品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4

發布時間：2024-12-06 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：330

SiC MOSFET是近年來MOSFET行業進行技術迭代的主要方向，相較于其他可用技術，碳化硅MOSFET表現出顯著的性能提升，為眾多電子應用帶來了新的可能性。南山電子代理品牌新潔能（NCE）在目前已開發完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產品，新開發650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業及自動化等行業，相關產品已通過客戶驗證，并實現小規模銷售；并已開發更多的第三代半導體芯片代工廠，相關產品已實現工程產出。新潔能SiC MOSFET系列產品具體型號為：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4，以下為詳細介紹：

技術特點:

電流密度大：新潔能SiC MOSFET能夠承受更大的電流密度，即單位面積上可以通過更大的電流，這使得其在相同體積下能夠提供更高的輸出功率。
擊穿電壓高：新潔能SiC MOSFET的擊穿電壓遠高于傳統的硅基MOSFET。SiC材料的擊穿電場強度是硅的10倍，因此SiC MOSFET可以承受更高的電壓，適合于高電壓應用場合。
損耗低：一般來說，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比。因此，在相似的功率水平下，SiC器件的傳導損耗比Si器件小得多。
短路能力優良：新潔能SiC MOSFET具有優良的短路能力，為應用中的突發狀況提供充足的裕量。
超低開關損耗：帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。

主要參數:

產品型號	封裝	BVDSS(V)	ID(A)	QG(nC)	PD(W)
NCES120R062T4	TO-247-4L	1200	26	64	115
NCES120R036T4		1200	50	92	235
NCES075R026T4		750	56	94	176
NCES075R026T		750	56	94	176
NCES120R018T4		1200	81	174	312
NCES120P075T4		1200	36	60	146
NCES120P035T4		1200	66	150	278

應用領域:

光伏逆變器：新潔能SiC MOSFET在光伏逆變器中普遍使用，使用基于SiC MOSFET的光伏逆變器，轉換效率可以從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上。并且SiC MOSFET能夠在高溫等惡劣環境中工作，有利于提高光伏逆變器的使用壽命。
充電樁：在電動車充電樁中，新潔能SiC MOSFET產品用于直流快充的功率逆變器和 DC/DC 轉換器等電路中，能夠實現高效率和高頻率的電能轉換，提供更快的充電速度。
基站電源：新潔能SiC MOSFET具有低導通電阻和高溫工作能力，使其在高溫環境下依然能夠保持穩定運行，這對于基站等需要在高溫環境中工作的設備尤為重要。

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