長(zhǎng)電科技——與國(guó)際封裝接軌

      從“無(wú)資金、無(wú)人才、無(wú)市場(chǎng)”名不見(jiàn)經(jīng)傳的里弄虧損小廠，到目前國(guó)內(nèi)最大的、擁有世界先進(jìn)封裝技術(shù)的內(nèi)資封裝測(cè)試企業(yè)，如今長(zhǎng)電科技在IC封裝領(lǐng)域已基本掌握九大核心技術(shù)，與國(guó)際封測(cè)主流技術(shù)同步發(fā)展。這些技術(shù)包括：硅穿孔(TSV)封裝技術(shù)、SiP射頻封裝技術(shù)、圓片級(jí)三維再布線封裝工藝技術(shù)、銅凸點(diǎn)互聯(lián)技術(shù)、高密度FC-BGA封測(cè)技術(shù)、多圈陣列四邊無(wú)引腳封測(cè)技術(shù)(MIS)、封裝體三維立體堆疊封裝技術(shù)、50μm以下超薄芯片三維堆疊封裝技術(shù)、MEMS等新興產(chǎn)品封測(cè)技術(shù)。
 
      自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)創(chuàng)新與突破，使得長(zhǎng)電科技快速在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)上取得話(huà)語(yǔ)權(quán)，F(xiàn)BP封裝技術(shù)就是比較典型的例子。該技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)不僅解決了當(dāng)時(shí)主流封裝技術(shù)QFN不能實(shí)現(xiàn)軟焊料工藝、共晶工藝、高壓環(huán)境中塑封存在溢料以及在球焊工藝中不穩(wěn)定等問(wèn)題，而且首次解決了QFN封裝系美國(guó)安靠公司的專(zhuān)利、國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)受到限制、且必須繳納專(zhuān)利金等生產(chǎn)束縛問(wèn)題。
 
      目前，長(zhǎng)電科技WL-CSP、TSV、SiP三大主流技術(shù)已與世界先進(jìn)水平接軌。在SiP封裝上，長(zhǎng)電科技已占據(jù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，接近國(guó)際先進(jìn)水平，減薄技術(shù)達(dá)到25μm，堆疊可達(dá)8層以上，焊線距離小到35μm。長(zhǎng)電科技的射頻器件封裝設(shè)計(jì)能力也很強(qiáng)，WLCSP封裝技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先，規(guī)模已居全球前三。世界上體積最小的影像傳感器(CIS)已在長(zhǎng)電科技生產(chǎn)，12英寸圓片級(jí)封裝也已批量生產(chǎn)，銅柱凸塊技術(shù)也已進(jìn)入小批量生產(chǎn)，該技術(shù)將在全球流行。